Fe3Si/Ge(3)ヘテロエピタキシャル成長の軸配向性の評価

• 平岩 佑介

• 安藤 裕一郎

• 熊野 守

Bibliographic Information

Other Title

• Fe3Si Ge 3 ヘテロ エピタキシャル セイチョウ ノ ジク ハイコウセイ ノ ヒョウカ
• Axial orientation of epitaxially grown Fe3Si on Ge(3)
• シリコン材料・デバイス
• シリコン ザイリョウ デバイス

Journal

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 107 (388), 35-38, 2007-12-14

  東京 : 電子情報通信学会

Keywords

• エピタキシャル成長
• Fe3Si
• ラザフォード後方散乱分光法
• 電子線回折
• Epitaxial growth
• Rutherford backscattering spectroscopy
• Electron diffraction

Details

• CRID: 1520290883464730112
• NII Article ID: 110006549256
• NII Book ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL BIB ID: 9330079
• Web Site: http://id.ndl.go.jp/bib/9330079
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I9330079
• Text Lang: ja
• NDL Source Classification:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• Data Source:
  • NDL
  • CiNii Articles
  • KAKEN