閃亜鉛鉱構造窒化物半導体のエピタキシャル成長(<特集>安定・準安定:閃亜鉛鉱構造とウルツ鉱構造) Epitaxial Growth of Zincblende Nitride Semiconductors(<Special Issue> Stable or Metastable: Zinc Blende and Wurtzite Structures)

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抄録

有機金属気相エピタキシー法による閃亜鉛鉱構造GaNのエピタキシャル成長および分子線エピタキシー法による閃亜鉛鉱構造InNのエピタキシャル成長に関する研究について紹介する.閃亜鉛鉱構造GaNの結晶成長ではV/III比を下げ,成長温度を高くすることによって高品質な閃亜鉛鉱構造GaNが得られることがわかった.ウルツ鉱構造GaNは{111}ファセット上に成長しやすい傾向にあるため,(001)面を保ったまま成長することによりウルツ鉱構造の混入を抑制することができる.閃亜鉛鉱構造InNの結晶成長においてもV/III比を下げ,成長温度を高くすることで純度の高い高品質な閃亜鉛鉱構造InNを得ることができた.このように,高純度かつ高品質な閃亜鉛鉱構造窒化物半導体を成長するためには,低いV/III比,高い成長温度,平坦な表面という条件が重要である.

Metalorganic vapor phase epitaxy of zincblende GaN and molecular beam epitaxy of zincblende InN are presented. High quality zincblende GaN can be grown under the condition of low V/III ratio and high growth temperature. Since wurtzite GaN tends to grow on {111} facets of zincblende GaN, it is important for preventing the mixing of wurtzite to maintain the (001) surface of zinblende during growth. High purity and high quality zincblende InN also can be grown under the condition of low V/III ratio and high growth temperature. Thus, low V/III ratio, high growth temperature and flat surface are keys to epitaxial growth of high purity and high quality zincblende nitride semi-conductors.

収録刊行物

  • 日本結晶成長学会誌

    日本結晶成長学会誌 34(4), 201-206, 2008

    日本結晶成長学会

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    110006611797
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00188386
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    NOT
  • ISSN
    0385-6275
  • NDL 記事登録ID
    9367977
  • NDL 雑誌分類
    ZM35(科学技術--物理学)
  • NDL 請求記号
    Z15-339
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  NII-ELS  J-STAGE 
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