AIC法による低温多結晶シリコン薄膜形成挙動の微細構造解析

• 池田 賢一

• 廣田 健

• 藤本 健資

書誌事項

タイトル別名

• AICホウ ニ ヨル テイオン タケッショウ シリコン ハクマク ケイセイ キョドウ ノ ビサイ コウゾウ カイセキ
• Microstructural analysis of polycrystalline silicon thin films formation behavior during aluminum induced crystallization
• シリコン材料・デバイス
• シリコン ザイリョウ デバイス

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 108 (1), 95-100, 2008-04

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• AIC
• 多結晶Si
• TEM
• その場加熱観察
• STEM-EDS
• Polycrystalline Si
• In-situ heating observation

詳細情報

• CRID: 1520009407485068160
• NII論文ID: 110006793655
• NII論文ID: 110006792723
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 9489276
• NDL書誌ID: 9489538
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I9489276
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I9489538
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles