C-12-27 微細CMOS技術におけるSRAMセルの安定性評価(C-12. 集積回路ACD(メモリ・電源・ばらつき),一般セッション)  [in Japanese] C-12-27 Stability Evaluation of SRAM-cells in Small-Scale CMOS Technology  [in Japanese]

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Author(s)

    • 和泉 伸也 Izumi Shinya
    • 広島大学先端物質科学研究科半導体集積科学専攻:広島大学ナノデバイス・システム研究センター Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University:Research Center for Nanodevices and Systems, Hiroshima University
    • 上口 光 Johguchi Koh
    • 広島大学ナノデバイス・システム研究センター Research Center for Nanodevices and Systems, Hiroshima University
    • マタウシュ ハンス ユルゲン Mattausen Hans Juergen
    • 広島大学先端物質科学研究科半導体集積科学専攻:広島大学ナノデバイス・システム研究センター Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University:Research Center for Nanodevices and Systems, Hiroshima University
    • 小出 哲士 Koide Tetsushi
    • 広島大学先端物質科学研究科半導体集積科学専攻:広島大学ナノデバイス・システム研究センター Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University:Research Center for Nanodevices and Systems, Hiroshima University

Journal

  • Proceedings of the IEICE General Conference

    Proceedings of the IEICE General Conference 2008年_エレクトロニクス(2), 117, 2008-03-05

    The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

Codes

  • NII Article ID (NAID)
    110006865680
  • NII NACSIS-CAT ID (NCID)
    AN10471452
  • Text Lang
    JPN
  • Data Source
    NII-ELS 
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