高空孔率(50%)高強度(9GPa)自己組織化ポーラスシリカ膜を用いた32nmノードLSI向け超低誘電率膜(k=2.1)Cuダマシン多層配線  [in Japanese] 32nm node Ultralow-k(k=2.1)/Cu Damascene Multilevel Interconnect using High-Porosity (50%) High-Modulus (9GPa) Self-Assembled Porous Silica  [in Japanese]

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Abstract

32nmノードLSI多層配線の実用化は多孔性低誘電率膜の実用化性能向上に依存している。今回高い空孔率(50%)が特徴の自己組織化ポーラスシリカ低誘電率膜を用い200nmピッチの配線形成に成功したので報告する。重要技術は低圧急加熱シリル化処理技術と加工側壁の処理技術である。これらの技術を用いることで32nmノード100nmピッチ配線の性能の達成が可能となった。

Journal

  • IEICE technical report

    IEICE technical report 107(481), 17-20, 2008-02-08

    The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

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Codes

  • NII Article ID (NAID)
    110006935843
  • NII NACSIS-CAT ID (NCID)
    AN10013254
  • Text Lang
    JPN
  • Article Type
    ART
  • ISSN
    09135685
  • NDL Article ID
    9413415
  • NDL Source Classification
    ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
  • NDL Call No.
    Z16-940
  • Data Source
    CJP  NDL  NII-ELS 
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