NaフラックスLPE法で作製した高品質GaN(0001)の表面構造

DOI DOI
  • 服部 梓
    大阪大学 工学研究科 附属超精密科学研究センター
  • 川村 史朗
    大阪大学 工学研究科 電気電子情報工学
  • 吉村 政志
    大阪大学 工学研究科 電気電子情報工学
  • 北岡 康夫
    大阪大学 工学研究科 附属フロンティア研究センター
  • 森 勇介
    大阪大学 工学研究科 電気電子情報工学
  • 遠藤 勝義
    大阪大学 工学研究科 附属超精密科学研究センター

書誌事項

タイトル別名
  • Surface structure of high-crystallinity GaN(0001) fabricated by the Na flux liquid phase epitaxy technique

抄録

ワイドギャップ半導体の一つである窒化ガリウム(GaN)は、シリコン半導体の性能を超えるデバイスへの実現が期待され、盛んに研究がおこなわれている。しかしながらGaNは大型の単結晶がなく、欠陥が多い結晶しか市場に出回っていないで、表面構造については殆ど研究がなされていない。我々は、NaフラックスLPE法により高品質なGaN単結晶の作製に成功している。作製したGaN結晶の(0001)面を超高真空中でArスパッタ、加熱処理した表面を、LEED、RHEED、STMで観察すると複雑な表面超構造が現れることが分かった。講演では、GaN(0001)の清浄表面作製方法を紹介するとともに、得られた表面超構造についての考察を行う。

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