fcc下地層がエピタキシャルNi(111)薄膜の形成に及ぼす効果 Effects of fcc Underlayer on the Formation of Ni(111) Epitaxial Thin Films

この論文をさがす

著者

抄録

fbc(111)単結晶下地層上でNi薄膜を形成し,下地層や基板温度がエピタキシャルNi薄膜の形成に及ぼす効果について調べた.cu(111)_<fcc>,Au(111)_<fcc>,Ag(111)_<fcc>いずれの下地層上においてもエピタキシャルNi(111)_<fcc>薄膜が得られた.Ni薄膜の格子歪みは下地層材料や基板温度により影響された.CuおよびAu下地層上では,界面付近で下地層の原子がNi層へ拡散することによって格子歪みを含むNi薄膜が形成された.基板温度の上昇に伴い下地層原子のNi層への拡散が促されることが分かった.一方,Ag下地層上では格子歪みの少ないNi薄膜が得られた,またこの系では,下地層のAg原子がNi薄膜形成過程でNi層に偏析し,Ag(111)_<fcc>相とNi(111)_<fcc>相が組成分離して共存していることが分かった.

Ni thin films were prepared on fcc(111) single-crystal underlayers by UHV-MBE. The effects of underlayer and substrate temperature on the formation of Ni(111) epitaxial thin films were investigated. Ni(111) epitaxial thin films were obtained on Cu(111)_<fcc>, Au(111)_<fcc>, and Ag(111)_<fcc> underlayers. The lattice strain of Ni epitaxial thin film is influenced by the underlayer and the substrate temperature. Ni thin films formed on Cu and Au underlayers are strained due to diffusion of underlayer atoms into the Ni films. The atomic diffusion is enhanced with increasing the substrate temperature. Ni thin film formed on Ag underlayer involves reduced strain. During Ni film deposition on Ag underlayer, parts of Ag atoms segregate into the Ni film forming a complicated film structure consisting of Ni(111)_<fcc> and Ag(111)_<fcc> phases.

収録刊行物

  • 電子情報通信学会技術研究報告. MR, 磁気記録

    電子情報通信学会技術研究報告. MR, 磁気記録 108(234), 13-18, 2008-10-02

    一般社団法人電子情報通信学会

参考文献:  12件中 1-12件 を表示

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    110007081700
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10013050
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    09135685
  • NDL 記事登録ID
    9701737
  • NDL 雑誌分類
    ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
  • NDL 請求記号
    Z16-940
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  NII-ELS 
ページトップへ