超薄膜InN/(In)GaN量子井戸活性層を用いた新規青緑域発光デバイス

• 崔 成伯

• 結城 明彦

• 渡邊 宏志

Bibliographic Information

Other Title

• チョウハクマク InN In GaN リョウシ イド カッセイソウ オ モチイタ シンキ セイリョクイキ ハッコウ デバイス
• Ultrathin InN/(In)GaN quantum well structure for a new active layer of blue-green light emitter
• 電子部品・材料
• デンシ ブヒン ザイリョウ

Journal

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 108 (322), 51-55, 2008-11

  東京 : 電子情報通信学会

Keywords

• InN
• 超薄膜量子井戸
• 発光ダイオード
• 量子閉じ込めシュタルク効果
• Ultrathin quantum well
• Light-emitting diodes
• Quantum-confined Stark effect
• QCSE

Details

• CRID: 1520009408055332224
• NII Article ID: 110007127199
• NII Article ID: 110007098435
• NII Article ID: 110007098759
• NII Book ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL BIB ID: 9738219
• NDL BIB ID: 9737663
• NDL BIB ID: 9738669
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I9738219
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I9737663
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I9738669
• Text Lang: ja
• NDL Source Classification:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• Data Source:
  • NDL
  • CiNii Articles
  • KAKEN