Ku帯衛星中継システム向けGaN FET固体化電力増幅器の開発(放送/一般)

• 望月 亮

  株式会社東芝

• 福島 竜也

  株式会社東芝

• 岩渕 浩昭

  株式会社東芝

• 山田 良男

  株式会社東芝

• 加藤 孝男

  株式会社東芝

書誌事項

タイトル別名

• Solid State Power Amplifier with GaN FET for Ku-band
• Ku帯衛星中継システム向けGaN FET固体化電力増幅器の開発
• Kuタイ エイセイ チュウケイ システム ムケ GaN FET コタイカ デンリョク ゾウフクキ ノ カイハツ

抄録

Ku帯電力増幅FETとして世界最高出力となる50W級窒化ガリウム系高電子移動度トランジスタ(GaN HEMT)を電力増幅部に用いた、固体化電力増幅器(SSPA)を開発したので報告する。GaN FETは、増幅特性が非線形領域となる範囲が広く、3次相互変調積(IM3)の改善が欠かせないが、本装置では、バイアス条件の最適化によって、14.0〜14.5GHzの広帯域における送信出力50dBm(100W)のIM3が-25dBc以下となる性能を、-10〜45℃の周囲温度環境で達成している。また、多段のFETをカスケード接続したことによって生ずる温度利得変動を、補償する機能を具備している。

収録刊行物

• 映像情報メディア学会技術報告

  映像情報メディア学会技術報告 33.15 (0), 43-48, 2009

  一般社団法人 映像情報メディア学会

キーワード

• SNG
• 固体化電力増幅器
• 窒化ガリウム
• 高電子移動度トランジスタ
• Ku帯
• 相互変調積
• 温度補償

詳細情報

• CRID: 1390001204527943168
• NII論文ID: 110007227990
• NII書誌ID: AN1059086X
• DOI: 10.11485/itetr.33.15.0_43
• ISSN: 24241970
• ISSN: 13426893
• NDL書誌ID: 10202692
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I10202692
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可