Growth of homogeneous InGaSb ternary bulk crystal and the observation of composition profile in the solution by X-ray penetration method

• Govindasamy Rajesh

• Hisashi Morii

• Toru Aoki

書誌事項

タイトル別名

• Growth of homogeneous InGaSb ternary bulk crystal and the observation of composition profile in the solution by X ray penetration method
• 電子デバイス
• デンシ デバイス

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 109 (23), 43-47, 2009-05

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• InGaSb
• Ternary Bulk Crystal
• Heat Pulse Technique
• X-ray Penetration Method

詳細情報

• CRID: 1520009407596183040
• NII論文ID: 110007230308
• NII論文ID: 110007230339
• NII論文ID: 110007230226
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 10247294
• NDL書誌ID: 10247100
• NDL書誌ID: 10247399
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I10247294
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I10247100
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I10247399
• 本文言語コード: en
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles