26aB13 高温溶液中での対流下におけるGaN単結晶のLPE成長part II(窒化物(2),第34回結晶成長国内会議)

• 川原 実

  大阪大学大学院工学研究科

• 山田 祐嗣

  大阪大学大学院工学研究科

• 梅田 英和

  大阪大学大学院工学研究科

• 森下 昌紀

  大阪大学大学院工学研究科

• 川村 史朗

  大阪大学大学院工学研究科

• 吉村 政志

  大阪大学大学院工学研究科

• 森 勇介

  大阪大学大学院工学研究科

• 佐々木 孝友

  大阪大学大学院工学研究科

書誌事項

タイトル別名

• 26aB13 The LPE Growth of GaN Single Crystal in High Temperature Solution with Thermal Convection, Part II(NCCG-34)

抄録

The effect of thermal convection in a mixed flux on GaN single crystal growth was investigated focusing especially on a heterogeneous nucleation at the gas-liquid interface and on the crucible wall. The number of nucleus in flux was decreased and the grown epitaxial film incrassated under thermal convection.

収録刊行物

• 日本結晶成長学会誌

  日本結晶成長学会誌 31 (3), 216-, 2004

  日本結晶成長学会

詳細情報

• CRID: 1390282680875045888
• NII論文ID: 110007327434
• NII書誌ID: AN00188386
• DOI: 10.19009/jjacg.31.3_216
• ISSN: 21878366
• ISSN: 03856275
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可