26aB12 高温溶液中での対流下におけるGaN単結晶のLPE成長,part I(窒化物(2),第34回結晶成長国内会議)

• 川村 史朗

  大阪大学大学院・工学研究科・電気工学専攻・佐々木研究室

• 山田 裕嗣

  大阪大学大学院・工学研究科・電気工学専攻・佐々木研究室

• 梅田 英和

  大阪大学大学院・工学研究科・電気工学専攻・佐々木研究室

• 森下 昌紀

  大阪大学大学院・工学研究科・電気工学専攻・佐々木研究室

• 川原 実

  大阪大学大学院・工学研究科・電気工学専攻・佐々木研究室

• 吉村 政志

  大阪大学大学院・工学研究科・電気工学専攻・佐々木研究室

• 森 勇介

  大阪大学大学院・工学研究科・電気工学専攻・佐々木研究室

• 佐々木 孝友

  大阪大学大学院・工学研究科・電気工学専攻・佐々木研究室

書誌事項

タイトル別名

• 26aB12 The LPE-Growth of GaN Single Crystal in High Temperature Solution with Thermal Convection, Part I(NCCG-34)

抄録

We investigated in the effects of thermal convection on the LPE growth of GaN using Na-based flux system. The thermal convection in the high temperature solution promotes the growth along the lateral direction, which results in the flat surface of LPE-GaN.

収録刊行物

• 日本結晶成長学会誌

  日本結晶成長学会誌 31 (3), 215-, 2004

  日本結晶成長学会

詳細情報

• CRID: 1390001205898336000
• NII論文ID: 110007327436
• NII書誌ID: AN00188386
• DOI: 10.19009/jjacg.31.3_215
• ISSN: 21878366
• ISSN: 03856275
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可