26aB11 Naフラックス法を用いたGaN単結晶育成における添加物の効果(窒化物(2),第34回結晶成長国内会議)

• 森下 昌紀

  阪大院・工

• 山田 祐嗣

  阪大院・工

• 梅田 英和

  阪大院・工

• 川原 実

  阪大院・工

• 川村 史朗

  阪大院・工

• 吉村 政志

  阪大院・工

• 森 勇介

  阪大院・工

• 佐々木 孝友

  阪大院・工

書誌事項

タイトル別名

• 26aB11 The effect of additive in the growth of GaN single crystals using Na flux method(NCCG-34)

抄録

Transparent and large GaN single crystals were easily grown in Li or Ca mixed flux, and its yield was much higher than that in pure Na flux. In this study, we measured the solubility curve of GaN in Li or Ca mixed flux and examined the dependence of nitrogen concentration on the applied pressure.

収録刊行物

• 日本結晶成長学会誌

  日本結晶成長学会誌 31 (3), 214-, 2004

  日本結晶成長学会

詳細情報

• CRID: 1390001205898325376
• NII論文ID: 110007327438
• NII書誌ID: AN00188386
• DOI: 10.19009/jjacg.31.3_214
• ISSN: 21878366
• ISSN: 03856275
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可