26aB05 サファイア除去基板を用いたGaN単結晶育成(窒化物(1),第34回結晶成長国内会議)

• 山田 祐嗣

  阪大院工

• 梅田 英和

  阪大院工

• 森下 昌紀

  阪大院工

• 川原 実

  阪大院工

• 川村 史朗

  阪大院工

• 吉村 政志

  阪大院工

• 森 勇介

  阪大院工

• 佐々木 孝友

  阪大院工

書誌事項

タイトル別名

• 26aB05 The growth of GaN single crystals on sapphire-free substrate(NCCG-34)

抄録

Up to now, GaN single crystal has been grown on MOCVD-GaN substrate with sapphire substrate. However, sapphire substrate introduces stresses on GaN during the growth period. Therefore we removed a sapphire from GaN single crystals which had been grown in the Na flux and tried the homo-epitaxial growth on GaN substrate without sapphire.

収録刊行物

• 日本結晶成長学会誌

  日本結晶成長学会誌 31 (3), 208-, 2004

  日本結晶成長学会

詳細情報

• CRID: 1390282680875041664
• NII論文ID: 110007327450
• NII書誌ID: AN00188386
• DOI: 10.19009/jjacg.31.3_208
• ISSN: 21878366
• ISSN: 03856275
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可