Si_<1-x>Ge_xバッファ層の歪緩和および転位構造制御(<小特集>Buffer層を中心としたエピタキシーの新展開)

• 田岡 紀之

  名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻

• 酒井 朗

  名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻

• 望月 省吾

  名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻

• 中塚 理

  名古屋大学エコトピア科学研究所

• 小川 正毅

  名古屋大学先端技術共同研究センター

• 財満 鎭明

  名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻

書誌事項

タイトル別名

• Strain and Dislocation Engineering in Si_<1-x>Ge_x, Buffer Layers(<Special Issue>Novel Approach to Epitaxial Growth with Buffer Layers)
• Si1-xGexバッファ層の歪緩和および転位構造制御
• Si1 xGex バッファソウ ノ ヒズミ カンワ オヨビ テンイ コウゾウ セイギョ

抄録

Si系半導体デバイスにおけるチャネル領域への積極的な歪の導入が検討され,歪チャネルの次世代高速デバイスへの応用研究が盛況である.次世代歪チャネルデバイスとして期待を集める大きな歪量を持つ歪チャネルの実現には,Si(001)基板もしくはSOI(001)基板上バッファ層を形成するためのヘテロエピタキシャル成長が必須とされる.今回,その高い結晶品質を満たすべく,新しい結晶成長技術によって歪緩和Si_<1-x>Ge_xバッファ層を作製する手法を確立した.本手法では,ダイヤモンド型格子に特有のすべり転位(60°転位)による歪緩和でなく,刃状転位によってSi_<1-x>Ge_x層を歪緩和させるため,結晶の微小傾斜や小ドメイン化といったモザイシティを大幅に低減することができる.本稿では,本手法によって形成されたSi_<1-x>Ge_xバッファ層の結晶性に重要な役割を果たす転位の構造・形態について詳細に解析した結果を報告し,それらの相関について議論する.

収録刊行物

• 日本結晶成長学会誌

  日本結晶成長学会誌 32 (2), 89-98, 2005

  日本結晶成長学会

詳細情報

• CRID: 1390001205898046848
• NII論文ID: 110007327682
• NII書誌ID: AN00188386
• DOI: 10.19009/jjacg.32.2_89
• ISSN: 21878366
• ISSN: 03856275
• NDL書誌ID: 7414969
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I7414969
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可