GaN中のプラズマ照射誘起欠陥の電気的評価

• 中村 成志

• 星野 晃一

• 落合 俊輔

書誌事項

タイトル別名

• GaN チュウ ノ プラズマ ショウシャ ユウキ ケッカン ノ デンキテキ ヒョウカ
• Electrical characterization of plasma-induced defects in GaN
• 電子デバイス
• デンシ デバイス

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 109 (81), 21-25, 2009-06

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• GaN
• プラズマ照射誘起欠陥
• 逆バイアスアニール
• 不活性化
• 再活性化
• plasma-induced defects
• reverse bias annealing
• deactivation
• reactivation

詳細情報

• CRID: 1520009407733359872
• NII論文ID: 110007338321
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 10274899
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I10274899
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles