間欠ガス供給を用いたホットメッシュCVD法によるSi上GaNエピタキシャル成長

• 齋藤 健

• 永田 一樹

• 末光 眞希

書誌事項

タイトル別名

• カンケツ ガス キョウキュウ オ モチイタ ホットメッシュ CVDホウ ニ ヨル Si ジョウ GaN エピタキシャル セイチョウ
• Epitaxial growth of gallium nitride on Si by hot-mesh CVD method with intermittent gas supplies
• 電子部品・材料
• デンシ ブヒン ザイリョウ

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 109 (171), 61-66, 2009-08

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• GaN
• AIN
• Alternating supply
• Intermittent supply
• Ru
• W-mesh
• Hot-mesh CVD
• intermittent gas supply

詳細情報

• CRID: 1520572358724567680
• NII論文ID: 110007359286
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 10350246
• Web Site: http://id.ndl.go.jp/bib/10350246
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I10350246
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles
  • KAKEN