書誌事項
- タイトル別名
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- InGaAs InAlAs5ソウ ヒタイショウ ケツゴウ リョウシ イド マッハ ツェンダー ヒカリ ヘンチョウキ ノ トクセイ カイゼン
- Property improvement of InGaAs/InAlAs Five-layer Asymmetric Coupled Quantum Well
- 光エレクトロニクス
- ヒカリ エレクトロニクス
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収録刊行物
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 109 (175), 1-6, 2009-08
東京 : 電子情報通信学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520009408044346752
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- NII論文ID
- 110007363419
- 110007363386
- 110007359326
- 110007360543
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- NII書誌ID
- AA1123312X
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- ISSN
- 09135685
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- 本文言語コード
- ja
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- NDL 雑誌分類
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- データソース種別
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- NDL
- CiNii Articles