30aRD-1 Si(110)-(16×2)表面の電子状態(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
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- 坂本 一之
- 千葉大院融合
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- Setvin M.
- 物材機構
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- 馬渡 健児
- 東北大院理
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- Eriksson P. E. J.
- IFM Linkoping Univ.:NIMS
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- 三木 一司
- 物材機構
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- Uhrberg R. I. G.
- IFM Linkoping Univ.
書誌事項
- タイトル別名
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- 30aRD-1 Electronic structure of the Si(110)-(16×2) clean surface
収録刊行物
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- 日本物理学会講演概要集
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日本物理学会講演概要集 64.1.4 (0), 916-, 2009
一般社団法人 日本物理学会
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詳細情報
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- CRID
- 1390001205970252544
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- NII論文ID
- 110007373130
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- ISSN
- 21890803
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles