イオン照射誘起薄膜変形(IIB)現象を利用したフィールドエミッタアレイ作製プロセスの開発  [in Japanese] FEA fabrication technique based on ion-induced bending (IIB) phenomenon  [in Japanese]

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Abstract

イオン照射誘起薄膜変形(IIB)技術を利用したフィールドエミッタアレイ(FEA)作製プロセスを開発した.IIBとは,薄膜で形成した片持ち梁にイオン照射を施すことで片持ち梁が曲がる現象であり,イオンの照射エネルギーと照射量(ドーズ)で曲げ角度を自在に制御可能,かつ様々な材料に適応可能な曲げ加工技術である.IIB技術をFEA作製に利用するメリットは,数10nmの薄膜を使って高さ数ミクロンの直立薄膜(VTF)エミッタを形成できる省材料プロセスである点,およびFEA作製のために特殊な装置は必要としないため一般的なCMOSプロセスやTFTプロセスとの融合性が高い点である.本プロセスはCMOSやTFTの製造ラインを用いたFEA作製を可能とするプロセスである.

A simple field-emitter-array (FEA) fabrication process based on ion-induced bending (IIB) phenomenon was developed. The IIB technique is a very simple two-step process, involving the formation of cantilever and subsequent ion-irradiation. It can be applied to a wide range of materials deposited by non-specialized sputtering method. And it was found that the bending angle could be controlled by the ion energy and ion dose, irrespective of the film material and the ion species. The procedural advantages of IIB are that it uses small quantities of material and non-specialized equipment. IIB would therefore be compatible with standard CMOS and/or TFT fabrication processes and could produce large-sized FEDs.

Journal

  • IEICE technical report

    IEICE technical report 109(230), 1-6, 2009-10-08

    The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

References:  10

Codes

  • NII Article ID (NAID)
    110007483030
  • NII NACSIS-CAT ID (NCID)
    AN10012954
  • Text Lang
    JPN
  • Article Type
    ART
  • ISSN
    09135685
  • NDL Article ID
    10434493
  • NDL Source Classification
    ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
  • NDL Call No.
    Z16-940
  • Data Source
    CJP  NDL  NII-ELS 
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