27pYD-2 疎水処理基板を用いたn型C_<60>FETの大気曝露効果(界面・分子デバイス3,領域7,分子性固体・有機導体)

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タイトル別名
  • 27pYD-2 Air exposure effect of n-type C_<60> FET with hydrophobic substrate

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001205968145792
  • NII論文ID
    110007498838
  • DOI
    10.11316/jpsgaiyo.64.2.4.0_777_4
  • ISSN
    21890803
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles

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