InN系窒化物半導体超薄膜非対称量子井戸構造の新規光デバイス開発に向けて--発光素子から太陽電池への展開
Bibliographic Information
- Other Title
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- InNケイ チッカブツ ハンドウタイ チョウハクマク ヒタイショウ リョウシ イド コウゾウ ノ シンキ ヒカリ デバイス カイハツ ニ ムケテ ハッコウ ソシ カラ タイヨウ デンチ エ ノ テンカイ
- Proposal of ultrathin InN-based asymmetric structure 3-N QWs for novel photonic devices: development from emitters into solar cells
- 電子デバイス
- デンシ デバイス
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Journal
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 109 (288), 79-82, 2009-11
東京 : 電子情報通信学会
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520290883557813120
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- NII Article ID
- 110007521550
- 110007504259
- 110007504291
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- NII Book ID
- AA1123312X
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- ISSN
- 09135685
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- Data Source
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- NDL
- CiNii Articles
- KAKEN