20pHT-8 イン・ビームメスバウア分光法による応力下シリコン中の鉄不純物観察(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

• 鈴木 都文

  東工大理工

• 吉田 豊

  静岡理工大理工

• 小林 義男

  理研

• 上野 秀樹

  理研

• 行平 憲一

  静岡理工大理工

• 早川 一生

  静岡理工大理工

• 三原 基嗣

  阪大理

• 佐藤 渉

  金沢大自然

• 吉見 彰洋

  理研

• 長友 傑

  ICU

• 市川 雄一

  理研

• 古川 武

  東工大理工

• 井上 壮士

  東工大理工

• 挾間 優佳

  東工大理工

• 飯島 裕章

  東工大理工

• 土屋 真人

  東工大理工

• 林 宏憲

  東工大理工

• 石井 裕司

  東工大理工

• 七尾 翼

  東工大理工

• 旭 耕一郎

  東工大理工

書誌事項

タイトル別名

• 20pHT-8 Observation of iron impurities in silicon under external stress by in-beam Mossbauer spectroscopy

収録刊行物

• 日本物理学会講演概要集

  日本物理学会講演概要集 65.1.4 (0), 979-, 2010

  一般社団法人 日本物理学会

詳細情報

• CRID: 1390001205972650624
• NII論文ID: 110007657430
• DOI: 10.11316/jpsgaiyo.65.1.4.0_979_3
• ISSN: 21890803
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles