SOI技術を用いた放射線イメージセンサーの開発(実験技術)  [in Japanese] Development of Radiation Imaging Sensor with SOI Technology  [in Japanese]

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Abstract

様々な分野で高解像度,高速,高感度な放射線イメージセンサーへの要求が高まっている.これらの要求を満たす為には,放射線センサーと読み出しエレクトロニクスとの一体化が不可欠であるが,従来の技術では困難であった.Silicon-On-Insulator(SOI)と呼ばれる技術が実用化され,長い間の夢であるモノリシック型の放射線検出器の可能性が見えてきた.SOIイメージセンサー技術の開発経過と今後の課題について解説する.

There are large demands for high-resolution, high-speed, and high-sensitivity radiation imaging sensor in many fields. To fulfill these demands, it is indispensable to combine the sensor and the readout electronics in a chip, but this was difficult to achieve in existing technologies. However this long time dream of developing monolithic radiation detector become possible by using Silicon-On-Insulator technology. We describe the status of SOI imaging sensor development and remaining issues.

Journal

  • Butsuri

    Butsuri 65(9), 691-698, 2010

    The Physical Society of Japan

References:  17

Codes

  • NII Article ID (NAID)
    110007701052
  • NII NACSIS-CAT ID (NCID)
    AN00196952
  • Text Lang
    JPN
  • Article Type
    NOT
  • ISSN
    0029-0181
  • NDL Article ID
    10805539
  • NDL Source Classification
    ZM35(科学技術--物理学)
  • NDL Call No.
    Z15-13
  • DOI
    10.11316/butsuri.65.9_691
  • Data Source
    CJP  NDL  NII-ELS  J-STAGE 
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