InAlN/GaN HEMT Structures on 4-in Silicon Grown by MOCVD

• Makoto Miyoshi

• Shigeaki Sumiya

• Mikiya Ichimura

書誌事項

タイトル別名

• InAlN GaN HEMT Structures on 4 in Silicon Grown by MOCVD
• Electron devices
• Electron devices

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 110 (109), 241-244, 2010

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• InAlN/GaN
• HEMT
• MOCVD
• 4-in silicon

詳細情報

• CRID: 1520853832198687232
• NII論文ID: 110007890317
• NII論文ID: 110007890009
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 10752569
• NDL書誌ID: 10753368
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I10752569
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I10753368
• 本文言語コード: en
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles