AlGaN/GaN HFETの表面バリア高さに対するデバイスプロセス中表面酸化の影響

• 東脇 正高

• Srabanti Chowdhury

• Brian L. Swenson

書誌事項

タイトル別名

• AlGaN GaN HFET ノ ヒョウメン バリア タカサ ニ タイスル デバイスプロセスチュウ ヒョウメン サンカ ノ エイキョウ
• Effects of surface oxidation during device processing on surface barrier height of AlGaN/GaN HFETs
• 電子デバイス
• デンシ デバイス

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 110 (80), 31-35, 2010-06

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• GaN
• AlGaN
• 表面バリア
• X線光電子分光
• surface barrier
• x-ray photoelectron spectroscopy

詳細情報

• CRID: 1520290883021277696
• NII論文ID: 110007890033
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 10751121
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I10751121
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles