EOT=0.5nmに向けた希土類MOSデバイスの高温短時間熱処理の検討

• 来山 大祐

• 小柳 友常

• 角嶋 邦之

Bibliographic Information

Other Title

• EOT 0 5nm ニ ムケタ キドルイ MOS デバイス ノ コウオン タンジカン ネツ ショリ ノ ケントウ
• High temperature rapid thermal annealing of rare-earth oxides dielectrics for highly scaled gate stack of EOT = 0.5nm
• シリコン材料・デバイス
• シリコン ザイリョウ デバイス

Journal

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 110 (90), 43-48, 2010-06-22

  東京 : 電子情報通信学会

Keywords

• EOT
• high-k
• 希土類酸化物
• シリケート
• 耐熱性
• rare earth oxide
• silicate
• thermal stability

Details

• CRID: 1520853832164442624
• NII Article ID: 110007890343
• NII Book ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL BIB ID: 10753040
• Web Site: http://id.ndl.go.jp/bib/10753040
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I10753040
• Text Lang: ja
• NDL Source Classification:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• Data Source:
  • NDL
  • CiNii Articles