代用電荷法による直線スリット領域への数値等角写像 Numerical Conformal Mappings onto a Rectilinear Slit Domain by the Charge Simulation Method

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抄録

様々な正準スリット領域への数値等角写像は科学技術計算において重要である.この論文では,代用電荷法を用いて非有界な多重連結領域から直線スリット領域への数値等角写像の方法を提案し,その有効性を簡単な数値例で示す.この正準領域はポテンシャル流問題で広く知られる平行スリット領域の一般化になっている.Numerical conformal mappings onto canonical slit domains are important in scientific computations. In this paper, using the charge simulation method, we present a numerical method for the conformal mapping of unbounded multiply connected domains onto a rectilinear slit domain, which is a generalization of the parallel slit domain well-known for potential flow problems. Simple numerical examples show the effectiveness of our method.

収録刊行物

  • 情報処理学会論文誌

    情報処理学会論文誌 50(8), 1775-1779, 2009-08-15

被引用文献:  1件中 1-1件 を表示

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    110007970467
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00116647
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    Journal Article
  • ISSN
    1882-7764
  • データ提供元
    CJP引用  NII-ELS  IPSJ 
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