HBTにおける高電流密度動作時エミッタ充電時間の電流反比例特性からの逸脱

• 山田 真之

• 上澤 岳史

• 宮本 恭幸

書誌事項

タイトル別名

• HBT ニ オケル コウデンリュウ ミツド ドウサジ エミッタ ジュウデン ジカン ノ デンリュウ ハンピレイ トクセイ カラ ノ イツダツ
• Deviation from proportional relationship between emitter charging time and inverse current of heterojunction bipolar transistors operating at high current density
• 電子デバイス
• デンシ デバイス

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 109 (360), 43-48, 2010-01

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
• エミッタ充電時間
• 動的エミッタ抵抗
• エミッタ接合容量
• Heterojunction Bipolar Transistor
• HBT
• Emitter Charging Time
• Dynamic Emitter Resistance
• Emitter Junction Capacitance
• Fermi-Dirac Distribution
• High Current Density Operation

詳細情報

• CRID: 1520572357445125632
• NII論文ID: 110007999989
• NII論文ID: 110008000809
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 10553860
• NDL書誌ID: 10553536
• Web Site: http://id.ndl.go.jp/bib/10553860
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I10553860
• Web Site: http://id.ndl.go.jp/bib/10553536
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I10553536
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles