再成長AlGaNコンタクト層を有する圧縮歪みInAlN/AlGaN/GaN FETs

• 廣木 正伸

• 前田 就彦

• 重川 直輝

書誌事項

タイトル別名

• サイセイチョウ AlGaN コンタクトソウ オ ユウスル アッシュク ヒズミ InAlN AlGaN GaN FETs
• Compressively strained InAlN/AlGaN/GaN FETs with regrown AlGaN contact layers
• マイクロ波
• マイクロハ

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 109 (361), 71-76, 2010-01

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• GaN
• InAlN
• AlInN
• FET
• HEMT
• Enhancement-Mode
• Normally Off

詳細情報

• CRID: 1520009407353963648
• NII論文ID: 110007999994
• NII論文ID: 110008000814
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 10553637
• NDL書誌ID: 10553894
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I10553637
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I10553894
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles