hcp-Ni および hcp-NiFe 薄膜のエピタキシャル成長 Epitaxial Growth of hcp-Ni and hcp-NiFe Thin Films

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抄録

分子線エピタキシー法によりAu(100)単結晶下地層上にエピタキシャルNiおよびNiFe薄膜を形成し,構造と磁気特性を調べた.hcp-Ni結晶およびhcp-NiFe結晶がそれぞれ基板温度300℃以下および400℃以下で形成された.いずれの場合もhcp結晶はc軸が膜面と平行でしかも互いに90゜回転した方位関係を持つ2タイプの(1120)_<hcp>バリアントから構成された.基板温度の上昇に伴い,準安定なhcp結晶はより安定なfcc結晶に変態する傾向が認められた.基板温度100℃で形成したNiおよびNiFe薄膜は主にhcp結晶から構成されていることが分かった.hcp-Niおよびhcp-NiFe薄膜はそれぞれバルクfcc-Niおよびfcc-NiFe結晶とほぼ同程度の飽和磁化値を持ち,hcp<0001>方向に磁化容易軸を持つ磁気異方性を示した.

Ni and NiFe epitaxial thin films were prepared on Au(100) single-crystal underlayers by molecular beam epitaxy. The structural and the magnetic properties were investigated. hcp-Ni and hcp-NiFe crystals are obtained at temperatures lower than 300℃ and 400℃, respectively. The both kinds of hcp crystals consist of two types of (1120)_<hcp> domains whose c-axes are in plane and rotated around the film normal by 90℃ each other. The hcp crystals tend to transform into more stable fcc crystals during film growth process with increasing the substrate temperature. X-ray diffraction and high-resolution transmission electron microscopy show that the Ni and the NiFe films prepared at 100℃ consist primarily of hcp crystals. The saturation magnetization values of hcp-Ni and hcp-NiFe films are similar to those of bulk fcc-Ni and fcc-NiFe crystals. The in-plane magnetization properties of hcp-Ni and hcp-NiFe films are interpreted to be reflecting the magnetocrystalline anisotropies of bulk hcp crystals.

収録刊行物

  • 電子情報通信学会技術研究報告. MR, 磁気記録

    電子情報通信学会技術研究報告. MR, 磁気記録 109(328), 59-66, 2009-12-03

    一般社団法人電子情報通信学会

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    110008000203
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10013050
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    09135685
  • NDL 記事登録ID
    10509984
  • NDL 雑誌分類
    ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
  • NDL 請求記号
    Z16-940
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  NII-ELS 
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