GeO2/Ge界面制御によるGe-nMOSFETsの電子移動度の向上--Siユニバーサルカーブを超える移動度特性の実証

• 李 忠賢

• 西村 知紀

• 長汐 晃輔

Bibliographic Information

Other Title

• GeO2 Ge カイメン セイギョ ニ ヨル Ge nMOSFETs ノ デンシ イドウド ノ コウジョウ Si ユニバーサルカーブ オ コエル イドウド トクセイ ノ ジッショウ
• Record-high electron mobility in Ge n-MOSFETs exceeding Si universality
• シリコン材料・デバイス・IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• シリコン ザイリョウ デバイス IEDM トクシュウ センタン CMOS デバイス プロセス ギジュツ

Journal

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 109 (408), 13-16, 2010-01-29

  東京 : 電子情報通信学会

Keywords

• ゲルマニウム
• CMOS
• GeO2/Ge界面
• Germanium
• Mobility
• GeO2/Ge interface

Details

• CRID: 1520290884027377024
• NII Article ID: 110008001111
• NII Book ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL BIB ID: 10554697
• Web Site: http://id.ndl.go.jp/bib/10554697
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I10554697
• Text Lang: ja
• NDL Source Classification:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• Data Source:
  • NDL
  • CiNii Articles
  • KAKEN