Cu/low-k 配線パターンのラインエッジラフネス評価 Evaluation of Line-Edge Roughness in Cu/Low-k Interconnect Patterns

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抄録

Cu/low-k配線パターンのラインエッジラフネス(LER)評価方法を確立するため,レジスト,low-k,Cu/low-kパターンをCD-SEMで観察し,典型的なラフネス形状を抽出するとともに,LER起因の電界集中をシミュレーションにより見積もった.low-k及びCu/low-kパターンにはくさび形のLERが観測されたが,このようなLERはくさびの先端部で,時間依存性絶縁破壊(TDDB)特性劣化につながる電界集中を引き起こすことがシミュレーションにより示された.また電界集中の予測には,low-kパターンのエッチング後及びCuのCMP後に,LERの大きさ(3sigma)とくさび形の開き角を評価することが効果的であると分かった.

To establish the method for evaluating Cu/low-k interconnect line-edge roughness (LER), resist, low-k, and Cu/low-k samples were observed with critical dimension scanning electron microscope (CD-SEM) and electric-field enhancement caused by LER was simulated. Wedge-shaped LER was observed in the edges of low-k and Cu/low-k patterns, and simulations showed that the wedges causes serious electric-field enhancement which can degrade time-dependent dielectric breakdown (TDDB) property. To predict the risk of TDDB, inspections of the wedge angle after low-k etching and Cu CMP are found to be required as well as that of the LER degree (3sigma).

収録刊行物

  • 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 109(412), 59-63, 2010-01-29

    一般社団法人電子情報通信学会

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    110008001129
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10013254
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    09135685
  • NDL 記事登録ID
    10592814
  • NDL 雑誌分類
    ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
  • NDL 請求記号
    Z16-940
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  NII-ELS 
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