in-situ電界効果熱刺激電流法によるペンタセン/ゲート絶縁膜界面のトラップ準位密度評価

• 藤井 孝博

• 松井 弘之

• 長谷川 達生

書誌事項

タイトル別名

• in situ デンカイ コウカ ネツ シゲキ デンリュウホウ ニ ヨル ペンタセン ゲート ゼツエン マク カイメン ノ トラップ ジュンイ ミツド ヒョウカ
• Analysis of trap-state density at pentacene/gate insulator interface using in-situ field-effect thermally-stimulated-current method
• 有機エレクトロニクス
• ユウキ エレクトロニクス

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 109 (359), 51-56, 2010-01-12

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• ペンタセン
• 有機薄膜トランジスタ
• 界面トラップ準位
• 熱刺激電流法
• pentacene
• organic thin-film transistor
• interface trap state
• thermally stimulated current method

詳細情報

• CRID: 1520572358899855360
• NII論文ID: 110008001527
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 10556169
• Web Site: http://id.ndl.go.jp/bib/10556169
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I10556169
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles