「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析  [in Japanese] Random Drain Current Variation Caused by "Current-Onset Voltage" Variability in Scaled MOSFETs  [in Japanese]

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Abstract

大規模DMA-TEGにより65nm技術で作製したMOSトランジスタの電流ばらつきを測定し、電流ばらつきがしきい値電圧ばらつきおよびG_mばらつきのみではなく、「電流立上り電圧」ばらつきによってもばらつくことを明らかにした。また、シミュレーションと実測により、「電流立上り電圧」ばらつきが、不純物によるチャネルポテンシャルの揺らぎに起因することを明らかにした。

It is revealed that drain current variability is fluctuated by "current-onset voltage" as well as threshold voltage V_<TH> and transconductance G_m. Device-matrix-array (DMA) TEG with 8k transistors fabricated by the 65nm technology is measured. Moreover, it is found by 3D device simulation and measured data that "current-onset voltage" variability is mainly determined by the channel potential fluctuates by random dopant fluctuations (RDF).

Journal

  • IEICE technical report

    IEICE technical report 110(182), 143-148, 2010-08-19

    The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

References:  11

Codes

  • NII Article ID (NAID)
    110008095015
  • NII NACSIS-CAT ID (NCID)
    AN10013254
  • Text Lang
    JPN
  • Article Type
    REV
  • ISSN
    09135685
  • NDL Article ID
    10817728
  • NDL Source Classification
    ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
  • NDL Call No.
    Z16-940
  • Data Source
    CJP  NDL  NII-ELS 
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