Effect of gate insulator on the electrical properties of pentacene based organic field-effect transistors

• M. Liao

• H. Ishiwara

• S. Ohmi

Bibliographic Information

Other Title

• Effect of gate insulator on the electrical properties of pentacene based organic field effect transistors
• シリコン材料・デバイス
• シリコン ザイリョウ デバイス

Journal

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 110 (241), 49-52, 2010-10

  東京 : 電子情報通信学会

Keywords

• pentacene
• OFETs
• gate insulator
• mobility
• SiO2
• HfO2

Details

• CRID: 1520290882348830336
• NII Article ID: 110008106355
• NII Book ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL BIB ID: 10882205
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I10882205
• Text Lang: en
• NDL Source Classification:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• Data Source:
  • NDL
  • CiNii Articles