硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価  [in Japanese] Study of etching-induced damage in p-type GaN by hard X-ray photoelectron spectroscopy  [in Japanese]

Search this Article

Author(s)

Abstract

p型GaNのエッチングダメージについて深さ方向分布、特に表面のバンド曲がりについて硬X線光電子分光(HAX-PES)法を用いて評価した。光電子の取り出し角を変化させることで異なる深さからの光電子の情報を検出し、p型GaN表面付近のバンド曲がりを解析した。その結果、ドライエッチングを施したp型GaN表面には1〜2×10^<20>cm^<-3>のドナー性欠陥が導入され、ICPドライエッチング時のバイアスパワーを大きくすることで、結晶奥深く(5〜8nm)まで欠陥が入ることが示された。

We carried out nondestructive measurements of the depth profile of etching-induced damage in p-GaN, in particular surface band bending, using Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy (HAX-PES). HAX-PES at different take-off angles of photoelectrons made it clear that etching by inductively-coupled plasma (ICP) introduced donor-like states in a surface layer of GaN. We were able to quantitatively analyze band bending and charge distribution in an etched p-GaN. The analysis results indicated the existence of deep donors with a concentration of 1-2×10^<20> cm^<-3> in a surface layer whose thickness increased with increasing a bias power of ICP.

Journal

  • IEICE technical report

    IEICE technical report 110(272), 59-62, 2010-11-04

    The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

References:  5

Codes

  • NII Article ID (NAID)
    110008152405
  • NII NACSIS-CAT ID (NCID)
    AN10012932
  • Text Lang
    JPN
  • Article Type
    ART
  • ISSN
    09135685
  • NDL Article ID
    10915219
  • NDL Source Classification
    ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
  • NDL Call No.
    Z16-940
  • Data Source
    CJP  NDL  NII-ELS 
Page Top