形状シミュレーションによるSiO2及びSiエッチングのモデル化と、BiCSメモリホールエッチング

• 市川 尚志

• 一之瀬 大吾

• 川端 研二

書誌事項

タイトル別名

• ケイジョウ シミュレーション ニ ヨル SiO2 オヨビ Si エッチング ノ モデルカ ト BiCS メモリホールエッチング
• Topography simulation of BiCS memory hole etching and modeling of SiO2 and Si etching
• シリコン材料・デバイス
• シリコン ザイリョウ デバイス

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 110 (274), 35-39, 2010-11

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• 形状シミュレーション
• プロセスシミュレーション
• BiCS
• メモリ
• エッチング
• モデリング
• Topography simulation
• process simulation
• memory
• etching
• modeling

詳細情報

• CRID: 1520572358154205568
• NII論文ID: 110008152508
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 10915552
• Web Site: http://id.ndl.go.jp/bib/10915552
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I10915552
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles