RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤ成長

• 田畑 拓也

• 白 知鉉

• 本田 善央

Bibliographic Information

Other Title

• RF MBEホウ ニ ヨル 111 Si キバン ジョウ エ ノ InGaN ナノワイヤ セイチョウ
• Growth of InGaN nanowires on a (111)Si substrate by RF-MBE
• 電子部品・材料
• デンシ ブヒン ザイリョウ

Journal

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 111 (45), 45-48, 2011-05

  東京 : 電子情報通信学会

Keywords

• ナノワイヤ
• InGaN
• RF-MBE
• Si基板
• nanowire
• Silicon substrate

Details

• CRID: 1520009407510574464
• NII Article ID: 110008726018
• NII Article ID: 110008725960
• NII Article ID: 110008725730
• NII Book ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL BIB ID: 11117453
• NDL BIB ID: 11116285
• NDL BIB ID: 11117311
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I11117453
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I11116285
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I11117311
• Text Lang: ja
• NDL Source Classification:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• Data Source:
  • NDL
  • CiNii Articles