22aGQ-8 シリコン原子空孔における電荷状態の拡がりと相関効果(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

• 山田 武見

  新潟大院自然

• 山川 洋一

  名大理

• 大野 義章

  新潟大理

書誌事項

タイトル別名

• 22aGQ-8 Extension and correlation effects of the charge states on silicon vacancy

収録刊行物

• 日本物理学会講演概要集

  日本物理学会講演概要集 66.2.4 (0), 981-, 2011

  一般社団法人 日本物理学会

詳細情報

• CRID: 1390001205978453504
• NII論文ID: 110008760832
• DOI: 10.11316/jpsgaiyo.66.2.4.0_981_1
• ISSN: 21890803
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles