SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェンの構造と形成  [in Japanese] Structure and Formation of Epitaxial Graphene on SiC(0001)  [in Japanese]

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Abstract

SiC(0001)面上のエピタキシャルグラフェンの成長機構について、第一原理計算を用いて検討した。界面グラフェン1層はバッファ層として機能すること、新しいグラフェンシートはバッファ層とSiC基板表面の界面から成長する界面成長であることが明らかになった。また、SiC(0001)面上のグラフェン島は、Si脱離とC吸着の協調によるSi置換Cの凝乗物形成により、埋め込まれた構造を取り得ることがわかった。

Epitaxial graphene growth on SiC(0001) surface is theoretically studied by the first-principles calculation. It is found that a sheet of graphene at the interface acts as the buffer layer, and that new graphene sheets grow from the interface between the buffer layer and the SiC substrate surface. It is also found that the graphene island on SiC(0001) surface has an embedded structure, which is formed by the aggregation of Si-substitutional C after Si sublimation and C adsorption.

Journal

  • IEICE technical report

    IEICE technical report 111(114), 7-10, 2011-06-27

    The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

References:  10

Codes

  • NII Article ID (NAID)
    110008800057
  • NII NACSIS-CAT ID (NCID)
    AN10013254
  • Text Lang
    JPN
  • Article Type
    ART
  • ISSN
    09135685
  • NDL Article ID
    11199975
  • NDL Source Classification
    ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
  • NDL Call No.
    Z16-940
  • Data Source
    CJP  NDL  NII-ELS 
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