Takeuchiプロットを用いたHigh-k/Metal-Gate MOSFETのばらつき評価

• 水谷 朋子

• Anil Kumar

• 西田 彰男

書誌事項

タイトル別名

• Takeuchi プロット オ モチイタ High k Metal Gate MOSFET ノ バラツキ ヒョウカ
• Evaluation of variability in high-k/metal-gate MOSFET using Takeuchi plot
• シリコン材料・デバイス
• シリコン ザイリョウ デバイス

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 111 (187), 65-68, 2011-08

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• Takeuchi Plot
• Pelgrom Plot
• MOSFET
• High-k
• Metal-Gate

詳細情報

• CRID: 1520009407441360512
• NII論文ID: 110008801167
• NII論文ID: 110008801193
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 11238777
• NDL書誌ID: 11239362
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I11238777
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I11239362
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles