抵抗変化メモリReRAMの技術開発最新動向

• 島 久

• 澤 彰仁

書誌事項

タイトル別名

• テイコウ ヘンカ メモリ ReRAM ノ ギジュツ カイハツ サイシン ドウコウ
• Latest Trends of Technology Development for Resistive Random Access Memory (ReRAM)
• 特集 世界的な競争領域にある最先端デバイス技術 ; 不揮発性メモリ技術の最前線
• トクシュウ セカイテキ ナ キョウソウ リョウイキ ニ アル サイセンタン デバイス ギジュツ ; フキハツセイ メモリ ギジュツ ノ サイゼンセン

抄録

コレクション : 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 雑誌

収録刊行物

• 電子情報通信学会誌 = The journal of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

  電子情報通信学会誌 = The journal of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers 95 (11), 992-997, 2012-11

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• 抵抗変化メモリ
• 不揮発性メモリ
• 遷移金属酸化物
• 酸化・還元反応

詳細情報

• CRID: 1520290883552354816
• NII論文ID: 110009544517
• NII書誌ID: AN1001339X
• ISSN: 09135693
• NDL書誌ID: 024103274
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I024103274
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles