Si基板上半極性面(1-101)GdNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
書誌事項
- タイトル別名
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- Polarization properties in InGaN/GaN multiple quantum well on semipolar(1-101)GaN/Si
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抄録
MOVPE法により作製した加工Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上に室温発光波長435nm〜590nm、井戸幅2nm〜9nmのInGaN/GaN多重量子井戸構造(MQW)を作製し、偏光特性を測定した。表面からの発光の偏光特性を測定したところ、発光波長が短波長で量子井戸幅が薄い場合、発光の偏光方向はc軸と垂直であった。一方発光波長が長くなる、あるいは井戸幅が厚くなるほど、偏光が平行方向へシフトしていくことが明らかとなった。また、発光波長が短波長である試料の端面(11-22)からの発光特性を測定したところ、ナローイングが観測されるとともに、井戸幅が広くなるにつれてc軸と平行な偏光成分の増加が観測された。このことから、井戸幅とIn組成の制御により偏光の制御が可能であり、任意のLD構造設計への応用が期待される。
収録刊行物
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- 電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料
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電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 112 (33), 15-18, 2012-05-10
一般社団法人電子情報通信学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1571980077785904128
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- NII論文ID
- 110009569495
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- NII書誌ID
- AN10012932
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- CiNii Articles