低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価

• 吉原 一輝

• 加藤 正史

• 市村 正也

書誌事項

タイトル別名

• テイエネルギー デンシセン ショウシャ オ ホドコシタ pガタ 4H-SiC ニ オケル サイケツゴウ チュウシン ノ ヒョウカ
• Characterization of recombination centers in p-type 4H-SiC induced by low-energy electron irradiation
• シリコン材料・デバイス
• シリコン ザイリョウ ・ デバイス

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 112 (34), 67-72, 2012-05

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• 4H-SiC
• 電流DLTS
• 深い準位
• 電子線照射
• 炭素空孔
• I-DLTS
• deep-level
• electron irradiation
• carbon vacancy

詳細情報

• CRID: 1520009407643145984
• NII論文ID: 110009569530
• NII論文ID: 110009569506
• NII論文ID: 110009569653
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 023743727
• NDL書誌ID: 023744342
• NDL書誌ID: 023744653
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I023743727
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I023744342
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I023744653
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles