EUV光源開発の現状  [in Japanese] Progress in Extreme Ultraviolet (EUV) Source Development  [in Japanese]

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Author(s)

    • 東口 武史 HIGASHIGUCHI Takeshi
    • 宇都宮大学大学院工学研究科 宇都宮大学オプティクス教育研究センター Department of Advanced Interdisciplinary Sciences, Utsunomiya University Utsunomiya University Center for Optical Research & Education (CORE)
    • 遠藤 彰 ENDO Akira
    • チェコ科学アカデミーHiLase プロジェクト 早稲田大学理工学術院 HiLASE Project, Institute of Physics AS Faculty of Science and Engineering, Waseda University

Abstract

半導体集積回路の微細化は情報化社会の飛躍的発展を支えており,半導体集積回路の高密度化を支えてきたのは微細な回路パターンを形成するリソグラフィ技術である.EUV(Extreme ultraviolet)露光機が市場に投入されるための懸案は,量産用EUV光源の出力が低いことである.本解説では,プラズマEUV光源の開発がどこまで進展しているかについて,最近の動向と現状を解説することにする.

Journal

  • プラズマ・核融合学会誌 = Journal of plasma and fusion research

    プラズマ・核融合学会誌 = Journal of plasma and fusion research 89(6), 341-348, 2013-06-25

    プラズマ・核融合学会

References:  29

Codes

  • NII Article ID (NAID)
    110009612748
  • NII NACSIS-CAT ID (NCID)
    AN10401672
  • Text Lang
    JPN
  • Article Type
    REV
  • ISSN
    09187928
  • NDL Article ID
    024779187
  • NDL Call No.
    Z15-8
  • Data Source
    CJP  NDL  NII-ELS  NDL-Digital 
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