表面活性化ボンディングによるSi・異種材料接合の電気特性評価

• 梁 剣波

• 重川 直輝

• 日暮 栄治

書誌事項

タイトル別名

• ヒョウメン カッセイカ ボンディング ニ ヨル Si ・ イシュ ザイリョウ セツゴウ ノ デンキ トクセイ ヒョウカ
• Electrical Properties of Si-Based Heterojunctions by Surface-Activated Bonding
• 電子デバイス
• デンシ デバイス

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 112 (327), 1-5, 2012-11

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• 表面活性化ボンディング
• 電流電圧特性
• トラップアシストトンネル
• ヘテロ接合
• GaN
• GaAs
• ハイブリッドタンデム太陽電池
• Surface-activated bonding
• current-voltage characteristics
• trap-assisted tunneling
• heterojunctions
• hybrid tandem solar cell

詳細情報

• CRID: 1520009408263042048
• NII論文ID: 110009641886
• NII論文ID: 110009641875
• NII論文ID: 110009642303
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 024148892
• NDL書誌ID: 024150155
• NDL書誌ID: 024150652
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I024148892
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I024150155
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I024150652
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles