GaN/AlGaN/GaN接合を有するダイオードにおける特異なI-V特性

• 渡邉 則之

• 横山 春喜

• 重川 直輝

Bibliographic Information

Other Title

• GaN/AlGaN/GaN セツゴウ オ ユウスル ダイオード ニ オケル トクイ ナ I-V トクセイ
• Anomalous current-voltage behavior in n-i-n type diode with GaN/AlGaN/GaN junction
• 電子部品・材料
• デンシ ブヒン ・ ザイリョウ

Journal

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 112 (328), 21-24, 2012-11

  東京 : 電子情報通信学会

Keywords

• トンネル接合
• 分極効果
• GaN
• AlGaN
• 負性微分抵抗
• tunneling junction
• polarization effect
• negative-differential resistance

Details

• CRID: 1520009408853095808
• NII Article ID: 110009641880
• NII Article ID: 110009642308
• NII Article ID: 110009641891
• NII Book ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL BIB ID: 024150195
• NDL BIB ID: 024150739
• NDL BIB ID: 024149013
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I024150195
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I024150739
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I024149013
• Text Lang: ja
• NDL Source Classification:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• Data Source:
  • NDL
  • CiNii Articles