27pEH-11 半導体ナノギャップ構造による近接場増強の解析(27pEH 領域5,領域1合同 メタマテリアル・プラズモニクス・顕微・近接場分光・表面,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))  [in Japanese] 27pEH-11 The near field enhancement of semiconductor nano-gap  [in Japanese]

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  • Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan 68.1.2(0), 228, 2013

    The Physical Society of Japan

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