半導体ナノワイヤデバイスの新展開 : 縦型トランジスタ応用  [in Japanese] Advances in Semiconductor Nanowire-Based Vertical Transistors  [in Japanese]

Search this Article

Author(s)

    • 冨岡 克広 TOMIOKA Katsuhiro
    • 科学技術振興機構さきがけ:北海道大学大学院情報科学研究科及び量子集積エレクトロニクス研究センター PRESTO, Japan Science and Technology Agency (JST):Graduate School of Information Science and Technology, and Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University
    • 福井 孝志 FUKUI Takashi
    • 北海道大学大学院情報科学研究科及び量子集積エレクトロニクス研究センター Graduate School of Information Science and Technology, and Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University

Abstract

近年,ナノメートルスケールの直径を有した半導体一次元ナノ構造:ナノワイヤが次世代エレクトロニクスのチャネル材料として注目を集めている.本論文では,有機金属気相選択成長法によるIII-V族化合物半導体ナノワイヤ成長について,シリコン基板上の集積技術を紹介し,垂直自立型ナノワイヤを用いた縦型トランジスタの作製と,シリコン上のIII-V族化合物半導体ナノワイヤで形成されるSi/III-Vヘテロ接合界面を利用した縦型トンネル電界効果トランジスタ(Tunnel field-effect transistor: TFET)の作製について報告する.

Journal

  • The transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C

    The transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C 96(9), 221-230, 2013-09

    The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

Codes

  • NII Article ID (NAID)
    110009657215
  • NII NACSIS-CAT ID (NCID)
    AA11412446
  • Text Lang
    JPN
  • ISSN
    1345-2827
  • NDL Article ID
    024872757
  • NDL Call No.
    Z16-607
  • Data Source
    NDL  NII-ELS 
Page Top